Infineon Technologies IPD60R750E6ATMA1
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IPD60R750E6ATMA1
1211-IPD60R750E6ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Trans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252
1最小包装量--
IPD60R750E6ATMA1详情
Infineon Technologies IPD60R750E6ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO252-3
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
48W Tc
Turn Off Delay Time
50 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ E6
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
750mOhm @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 170μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
373pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17.2nC @ 10V
上升时间
7ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
5.7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
输入电容
373pF
漏源电阻
680mOhm
最大rds
750 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
IPD60R750E6ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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