STP100N6F7备选型号: STP80N6F6
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 电阻
- 通道数量
- 元素配置
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220ABACTIVE (Last Updated: 8 months ago)22 Weeks通孔通孔TO-220-3SILICON100A Tc-55°C~175°C TJTubeSTripFET™ F7活跃1 (Unlimited)3EAR99SINGLE未说明未说明STP100R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING5.6m Ω @ 50A, 10V4V @ 250μA1980pF @ 25V30nC @ 10V60V±20V100ATO-220AB0.0056Ohm400A60V200 mJROHS3 Compliant无铅----------
- MOSFET N-CH 60V 110A STripFET VI DeepGATEACTIVE (Last Updated: 8 months ago)-通孔通孔TO-220-3-110A Tc-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VIObsolete1 (Unlimited)-EAR99---STP80N----N-Channel-5.8m Ω @ 50A, 10V4.5V @ 250μA7480pF @ 25V122nC @ 10V-±20V110A-----ROHS3 Compliant无铅35mOhm1Single20V60V15.75mm10.4mm4.6mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFB7540PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB | 对比 |
![]() | STP130N6F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB | 对比 |
![]() | DMT6010SCT | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CHA 60V 98A TO220 | 对比 |





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