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1

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10

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100

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500

￥4.730263
1000

￥4.462511

STMicroelectronics STP80N6F6

Name: STP80N6F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2381-STP80N6F6
Price: 5.63 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

STP80N6F6

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-STP80N6F6

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 60V 110A STripFET VI DeepGATE

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STP80N6F6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 110A STripFET VI DeepGATE

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STMicroelectronics STP80N6F6重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3
引脚数

3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

120W Tc
操作温度

-55°C~175°C TJ
包装

Tube
系列

Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
电阻

5mOhm
基本部件号

STP80N
通道数量

1
元素配置

Single
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

5.8m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7480pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

122nC @ 10V
Vgs（最大值）

±20V
连续放电电流(ID)

110A
栅极至源极电压(Vgs)

20V
漏源击穿电压

60V
高度

15.75mm
长度

10.4mm
宽度

4.6mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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