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首页 全部分类 STP110N10F7 vs IPP06CN10LGXKSA1

STP110N10F7备选型号: IPP06CN10LGXKSA1

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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STP110N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N CH 100V 110A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    7mOhm
    STP110
    Single
    150W
    25 ns
    N-Channel
    7m Ω @ 55A, 10V
    4V @ 250μA
    5500pF @ 50V
    60nC @ 10V
    ±20V
    110A
    20V
    100V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP06CN10LGXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    214W
    -
    N-Channel
    6.2m Ω @ 100A, 10V
    2.4V @ 180μA
    11900pF @ 50V
    124nC @ 10V
    ±20V
    100A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    SILICON
    2008
    e3
    yes
    3
    哑光锡
    逻辑电平兼容
    SINGLE
    260
    unknown
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    100V
    TO-220AB
    0.0062Ohm
    400A
    480 mJ
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