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首页 全部分类 STP11NK50Z vs FDP12N60NZ

STP11NK50Z备选型号: FDP12N60NZ

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 质量
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STP11NK50Z
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    500V
    10A
    STP11N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    14.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    520m Ω @ 4.5A, 10V
    4.5V @ 100μA
    1390pF @ 25V
    68nC @ 10V
    18ns
    ±30V
    15 ns
    10A
    3.75V
    TO-220AB
    30V
    0.52Ohm
    500V
    40A
    9.15mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP12N60NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    240W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET-II™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    240W
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    650m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    1676pF @ 25V
    34nC @ 10V
    50ns
    ±30V
    60 ns
    12A
    3V
    TO-220AB
    30V
    0.65Ohm
    600V
    48A
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    1.8g
    2010
    yes
    565 mJ
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