STMicroelectronics STP12NM50

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

160W Tc

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

350mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

500V

额定电流

12A

基本部件号

STP12

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

160W

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

350m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

19.68mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅