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STP13N60M2备选型号: STP18N60M2

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    STP13N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    380mOhm
    STP13N
    Single
    11 ns
    N-Channel
    380m Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    580pF @ 100V
    17nC @ 10V
    10ns
    600V
    ±25V
    9.5 ns
    11A
    25V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP18N60M2
    STMicroelectronics
    N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13A MOSFET in TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    280mOhm
    STP18N
    Single
    12 ns
    N-Channel
    280m Ω @ 6.5A, 10V
    4V @ 250μA
    791pF @ 100V
    21.5nC @ 10V
    9ns
    600V
    ±25V
    10.6 ns
    13A
    25V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    3
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    52A
    600V
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