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首页 全部分类 STP150N3LLH6 vs IPP042N03LGXKSA1

STP150N3LLH6备选型号: IPP042N03LGXKSA1

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  • 上升时间
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 已出版
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  • 附加功能
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 阈值电压
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STP150N3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 80A TO220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3.3MOhm
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    STP150
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4040pF @ 25V
    40nC @ 4.5V
    18ns
    ±20V
    46 ns
    80A
    TO-220AB
    20V
    30V
    320A
    525 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP042N03LGXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    未说明
    -
    未说明
    -
    3
    -
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    79W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4.2m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    3900pF @ 15V
    38nC @ 10V
    5.6ns
    ±20V
    4.4 ns
    70A
    TO-220AB
    20V
    30V
    400A
    60 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    13 Weeks
    3
    2008
    yes
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    7.4 ns
    无卤素
    1V
    30V
    0.006Ohm
    15.95mm
    10.36mm
    4.57mm
    无SVHC
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