Infineon Technologies IPP042N03LGXKSA1

工厂交货时间

13 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

28 ns

Power Dissipation (Max)

79W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

系列

OptiMOS™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

79W

接通延迟时间

7.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.2m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3900pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V

上升时间

5.6ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.4 ns

连续放电电流(ID)

70A

阈值电压

1V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.006Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

高度

15.95mm

长度

10.36mm

宽度

4.57mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅