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首页 全部分类 STP150NF55 vs AUIRF1010Z

STP150NF55备选型号: AUIRF1010Z

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  • ECCN 代码
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  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 已出版
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STP150NF55
    STMicroelectronics
    MOSFET N Ch 55V 0.005 OHM 120A
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    6MOhm
    Tin (Sn)
    STP150
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    4400pF @ 25V
    190nC @ 10V
    180ns
    ±20V
    80 ns
    120A
    TO-220AB
    20V
    55V
    480A
    850 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRF1010Z
    Infineon Technologies
    INFINEON AUIRF1010Z MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
    -
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    2840pF @ 25V
    95nC @ 10V
    150ns
    -
    92 ns
    94A
    -
    20V
    55V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    3
    2010
    鸥翼
    260
    30
    2V
    75A
    0.0075Ohm
    16.51mm
    10.668mm
    4.826mm
    无SVHC
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