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首页 全部分类 STP17N62K3 vs STP18NM80

STP17N62K3备选型号: STP18NM80

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STP17N62K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 620V 15A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    15.5A Tc
    150°C TJ
    Tube
    SuperMESH3™
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    280mOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩能源评级
    STP17N
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    190W
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 7.5A, 10V
    4.5V @ 100μA
    2500pF @ 50V
    94nC @ 10V
    26ns
    ±30V
    63 ns
    15.5A
    TO-220AB
    30V
    620V
    60A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP18NM80
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 800V 17A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    17A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    295MOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    STP18N
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    190W
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    295m Ω @ 8.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2070pF @ 50V
    70nC @ 10V
    28ns
    ±30V
    50 ns
    17A
    TO-220AB
    30V
    800V
    68A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    3
    EAR99
    4V
    600 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
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