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首页 全部分类 STP180N10F3 vs IPP045N10N3GXKSA1

STP180N10F3备选型号: IPP045N10N3GXKSA1

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  • 配置
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  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    STP180N10F3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ III
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    5.1MOhm
    SINGLE
    STP180
    3
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    315W
    25.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.1m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    6665pF @ 25V
    114.6nC @ 10V
    97.1ns
    ±20V
    6.9 ns
    120A
    TO-220AB
    20V
    100V
    480A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP045N10N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    -
    13 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    SINGLE
    -
    3
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    214W
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 100A, 10V
    3.5V @ 150μA
    8410pF @ 50V
    117nC @ 10V
    59ns
    ±20V
    14 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    -
    400A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    2008
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    无卤素
    100V
    0.0045Ohm
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