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STP18N65M5备选型号: STP21N65M5
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 阈值电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON15A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ V活跃1 (Unlimited)3EAR99220mOhmSTP18NSingle增强型MOSFET110WDRAIN36 nsN-ChannelSWITCHING220m Ω @ 7.5A, 10V5V @ 250μA1240pF @ 100V31nC @ 10V±25V15ATO-220AB25V650V60A15.75mm10.4mm4.6mm无ROHS3 Compliant无铅------- MOSFET N-CH 650V 17A TO-220ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON125W Tc150°C TJTubeMDmesh™ V活跃1 (Unlimited)3EAR99-STP21NSingle增强型MOSFET125W--N-ChannelSWITCHING190m Ω @ 8.5A, 10V5V @ 250μA1950pF @ 100V50nC @ 10V±25V17ATO-220AB25V650V68A15.75mm10.4mm4.6mm无ROHS3 Compliant-e3Matte Tin (Sn)34V400 mJ无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 | 对比 |
| STP21N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 17A TO-220 | 对比 |
| STP23NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220 | 对比 |
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