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首页 全部分类 STP200NF03 vs STP150N3LLH6

STP200NF03备选型号: STP150N3LLH6

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STP200NF03
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 120A TO-220
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ III
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3.7mOhm
    雪崩 额定
    30V
    120A
    STP200
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    4950pF @ 25V
    140nC @ 10V
    195ns
    ±20V
    60 ns
    60A
    4V
    TO-220AB
    20V
    30V
    480A
    9.15mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP150N3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 80A TO220
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3.3MOhm
    -
    -
    -
    STP150
    3
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3m Ω @ 40A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4040pF @ 25V
    40nC @ 4.5V
    18ns
    ±20V
    46 ns
    80A
    -
    TO-220AB
    20V
    30V
    320A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    525 mJ
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