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首页 全部分类 STP200NF04 vs IPP041N04NGXKSA1

STP200NF04备选型号: IPP041N04NGXKSA1

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 端子位置
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STP200NF04
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    40V
    120A
    STP200
    3
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 90A, 10V
    4V @ 250μA
    5100pF @ 25V
    210nC @ 10V
    320ns
    ±20V
    120 ns
    120A
    4V
    TO-220AB
    20V
    40V
    480A
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP041N04NGXKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - MOSFET, N CH, 80A, 40V, PG-TO220-3
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    94W
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.1m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 45μA
    4500pF @ 20V
    56nC @ 10V
    3.8ns
    ±20V
    4.8 ns
    80A
    -
    TO-220AB
    20V
    -
    400A
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    13 Weeks
    2008
    yes
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    40V
    60 mJ
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