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首页 全部分类 STP20NM65N vs IPP65R190CFDXKSA1

STP20NM65N备选型号: IPP65R190CFDXKSA1

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  • 宽度
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  • RoHS状态
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  • 已出版
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 资历状况
  • 配置
  • 无卤素
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STP20NM65N
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    15A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    270mOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    STP20N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    270m Ω @ 7.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1280pF @ 50V
    44nC @ 10V
    10ns
    ±25V
    20 ns
    15A
    TO-220AB
    25V
    650V
    60A
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP65R190CFDXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    17.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    151W
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 7.3A, 10V
    4.5V @ 730μA
    1850pF @ 100V
    68nC @ 10V
    8.4ns
    ±20V
    6.4 ns
    17.5A
    TO-220AB
    20V
    -
    57.2A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    Tin
    2008
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    650V
    484 mJ
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