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首页 全部分类 STP24NM60N vs STP18NM60N

STP24NM60N备选型号: STP18NM60N

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STP24NM60N
    STMicroelectronics
    N-Channel 600 V 190 mOhm Flange Mount MDmesh? II Power Mosfet - TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    190MOhm
    Tin (Sn)
    STP24N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    120W
    DRAIN
    11.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 250μA
    1400pF @ 50V
    46nC @ 10V
    16.5ns
    600V
    ±30V
    37 ns
    17A
    3V
    TO-220AB
    30V
    650V
    68A
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • STMicroelectronics
    STP18NM60N
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STP18NM60N Power MOSFET, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    285mOhm
    -
    STP18N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    -
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    285m Ω @ 6.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1000pF @ 50V
    35nC @ 10V
    15ns
    -
    ±25V
    25 ns
    13A
    3V
    TO-220AB
    25V
    600V
    52A
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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