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STP260N6F6备选型号: STP210N75F6

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • STMicroelectronics
    STP260N6F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 120A TO220
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3MOhm
    STP260
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    31.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    11400pF @ 25V
    183nC @ 10V
    165ns
    60V
    ±20V
    62.6 ns
    120A
    2V
    TO-220AB
    20V
    75V
    480A
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP210N75F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 75V 3mOhm 120A STripFET VI
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    3.7MOhm
    STP210
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    34 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    11800pF @ 25V
    171nC @ 10V
    70ns
    -
    ±20V
    71 ns
    120A
    2V
    TO-220AB
    20V
    75V
    480A
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn)
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