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首页 全部分类 STP28NM60ND vs STF28NM60ND

STP28NM60ND备选型号: STF28NM60ND

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  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STP28NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 23A TO220
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    329.988449mg
    SILICON
    23A Tc
    150°C TJ
    Tube
    FDmesh™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    STP28N
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    23.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 11.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2090pF @ 100V
    62.5nC @ 10V
    21.5ns
    600V
    ±25V
    27 ns
    23A
    TO-220AB
    25V
    650V
    92A
    50 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • STMicroelectronics
    STF28NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    329.988449mg
    SILICON
    92 ns
    150°C TJ
    Tube
    FDmesh™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    STF28
    1
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    23.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 11.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2090pF @ 100V
    62.5nC @ 10V
    21.5ns
    600V
    ±25V
    27 ns
    23A
    TO-220AB
    25V
    650V
    92A
    50 mJ
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
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