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STP32NM50N备选型号: IPP60R125CPXKSA1
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 已出版
- 无铅代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大双电源电压
MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FETNRND (Last Updated: 8 months ago)通孔通孔TO-220-3SILICON22A Tc150°C TJTubeMDmesh™ IIe3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)未说明not_compliant未说明STP32NR-PSFM-T3Single增强型MOSFET190WDRAINN-ChannelSWITCHING130m Ω @ 11A, 10V4V @ 250μA1973pF @ 50V62.5nC @ 10V9.5ns±25V23.6 ns22ATO-220AB25V500V88A340 mJROHS3 Compliant无铅--------------
MOSFET N-CH 650V 25A TO-220-通孔通孔TO-220-3SILICON25A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™e3不用于新设计1 (Unlimited)3-Tin (Sn)未说明-未说明---增强型MOSFET208W-N-ChannelSWITCHING125m Ω @ 16A, 10V3.5V @ 1.1mA2500pF @ 100V70nC @ 10V5ns±20V-25ATO-220AB20V-82A708 mJROHS3 Compliant无铅12 Weeks32007yes600VSINGLE25A3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE15 ns无卤素650V600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP34N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 28A TO-220 | 对比 |
| IPP50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 500V 23A TO-220 | 对比 |
| STP26NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | 对比 |
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