Infineon Technologies IPP50R140CPXKSA1

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

23A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

192W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

192W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

140m Ω @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 930μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2540pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

64nC @ 10V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

550V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

23A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

3.5V

最大双电源电压

500V

漏极-源极导通最大电阻

0.14Ohm

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

56A

雪崩能量等级（Eas）

616 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅