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首页 全部分类 STP33N60DM2 vs IPP60R125CPXKSA1

STP33N60DM2备选型号: IPP60R125CPXKSA1

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  • 额定电流
  • 引脚数量
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  • 无卤素
  • 上升时间
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STP33N60DM2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STP33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ DM2
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    STP33N
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 12A, 10V
    5V @ 250μA
    1870pF @ 100V
    43nC @ 10V
    600V
    ±25V
    24A
    4V
    TO-220AB
    96A
    600V
    570 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R125CPXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 25A TO-220
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    25A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    SINGLE
    未说明
    未说明
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    125m Ω @ 16A, 10V
    3.5V @ 1.1mA
    2500pF @ 100V
    70nC @ 10V
    650V
    ±20V
    25A
    -
    TO-220AB
    82A
    -
    708 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    2007
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    600V
    25A
    3
    不合格
    208W
    15 ns
    无卤素
    5ns
    20V
    600V
    无铅
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