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STP33N60DM2备选型号: STP28N60DM2

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  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 基本部件号
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • STMicroelectronics
    STP33N60DM2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STP33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    24A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ DM2
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    STP33N
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 12A, 10V
    5V @ 250μA
    1870pF @ 100V
    43nC @ 10V
    600V
    ±25V
    24A
    4V
    TO-220AB
    96A
    600V
    570 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
  • STMicroelectronics
    STP28N60DM2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STP28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ DM2
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    STP28N
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    160m Ω @ 10.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1500pF @ 100V
    34nC @ 10V
    600V
    ±25V
    21A
    4V
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
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