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STP34NM60N备选型号: STP36N55M5
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 箱体转运
- 漏极-源极导通最大电阻
Mosfet Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 Ohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: YesACTIVE (Last Updated: 7 months ago)16 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON29A Tc150°C TJTubeMDmesh™ IIe3活跃1 (Unlimited)3EAR99105MOhmTin (Sn)STP34N3Single增强型MOSFET210W17 nsN-ChannelSWITCHING105m Ω @ 14.5A, 10V4V @ 250μA2722pF @ 100V80nC @ 10V34ns±25V70 ns29A3VTO-220AB25V600V15.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--- MOSFET N CH 550V 33A TO-220-17 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON33A Tc150°C TJTubeMDmesh™ V-活跃1 (Unlimited)3EAR99--STP36N-Single增强型MOSFET190W56 nsN-ChannelSWITCHING80m Ω @ 16.5A, 10V5V @ 250μA2670pF @ 100V62nC @ 10V-±25V-33A-TO-220AB25V550V15.75mm10.4mm4.6mm-无ROHS3 Compliant无铅DRAIN0.08Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP45N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS | 对比 |
| STP36N55M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 550V 33A TO-220 | 对比 |
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