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STP34NM60ND备选型号: STP43N60DM2
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 长度
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 漏源电压 (Vdss)
MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD16 WeeksTO-220-3通孔通孔3SILICON190W Tc5V @ 250μA150°C TJTubeFDmesh™ IIe3活跃1 (Unlimited)3EAR99110MOhmMatte Tin (Sn)ULTRA-LOW RESISTANCESTP34NSingle增强型MOSFET190WDRAIN30 nsN-ChannelSWITCHING110m Ω @ 14.5A, 10V2785pF @ 50V80.4nC @ 10V53.4ns±25V61.8 ns29A4VTO-220AB25V600V4.6mm10.4mm15.75mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---- STMICROELECTRONICS STP43N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V17 WeeksTO-220-3通孔通孔3-34A Tc5V @ 250μA-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ DM2-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)-EAR99---STP43N-----N-Channel-93m Ω @ 17A, 10V2500pF @ 100V56nC @ 10V-±25V-34A4V------无SVHC-ROHS3 Compliant-未说明未说明600V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP42N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 33A TO-220 | 对比 |
| STP45N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS | 对比 |
 | FCP22N60N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 22A TO-220 | 对比 |
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