ON Semiconductor FCP22N60N
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FCP22N60N
1807-FCP22N60N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
--最小包装量--
FCP22N60N详情
ON Semiconductor FCP22N60N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220-3
质量
1.8g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
22A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
205W Tc
Turn Off Delay Time
49 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SupreMOS™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
165mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
205W
接通延迟时间
16.9 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
165mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1950pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
上升时间
16.7ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±45V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
22A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
600V
输入电容
1.95nF
恢复时间
53 ns
漏源电阻
140mOhm
最大rds
165 mΩ
栅源电压
3 V
高度
9.4mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FCP22N60N拓展信息
ON Semiconductor
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