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首页 全部分类 STP400N4F6 vs IRF40B207

STP400N4F6备选型号: IRF40B207

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 已出版
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • STMicroelectronics
    STP400N4F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 40V 120A STripFET VI DeepGATE
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.7mOhm
    STP400
    1
    Single
    N-Channel
    1.7m Ω @ 60A, 10V
    4.5V @ 250μA
    20000pF @ 25V
    377nC @ 10V
    ±20V
    120A
    20V
    40V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF40B207
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 95A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    95A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®, StrongIRFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    4.5mOhm
    -
    -
    -
    N-Channel
    4.5m Ω @ 57A, 10V
    3.9V @ 50μA
    2110pF @ 25V
    68nC @ 10V
    ±20V
    95A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    2013
    未说明
    未说明
    40V
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