Infineon Technologies IRL1104PBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

104A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

167W Tc

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

40V

额定电流

104A

元素配置

Single

功率耗散

167W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8mOhm @ 62A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3445pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

68nC @ 4.5V

上升时间

257ns

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

64 ns

连续放电电流(ID)

104A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

40V

双电源电压

40V

输入电容

3.445nF

恢复时间

126 ns

漏源电阻

12mOhm

最大rds

8 mΩ

栅源电压

1 V

高度

8.77mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅