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STP45N65M5备选型号: STP42N65M5
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数量
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOSACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON35A Tc150°C TJTubeMDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)3EAR9978MOhmMatte Tin (Sn)超低电阻STP45NSingle增强型MOSFET208WDRAIN79.5 nsN-ChannelSWITCHING78m Ω @ 19.5A, 10V5V @ 250μA3375pF @ 100V91nC @ 10V±25V35A4VTO-220AB25V650V140A810 mJ4 V15.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---- MOSFET N-CH 650V 33A TO-220ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON33A Tc150°C TJTubeMDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)3EAR9979mOhmTin (Sn)-STP42NSingle增强型MOSFET190W-61 nsN-ChannelSWITCHING79m Ω @ 16.5A, 10V5V @ 250μA4650pF @ 100V100nC @ 10V±25V33A4VTO-220AB25V650V-950 mJ-9.15mm10.4mm4.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅324ns13 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP42N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 33A TO-220 | 对比 |
| STP57N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 42A TO-220 | 对比 |
| STP35N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 27A TO-220 | 对比 |
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