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STP50NF25备选型号: IRFB4137PBF
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- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 已出版
MOSFET N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFETACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 WeeksTin通孔通孔TO-220-33SILICON45A TcSTripFET™Tube-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)3通孔EAR9969MOhmSTP50N3Single增强型MOSFET160W45 nsN-ChannelSWITCHING69m Ω @ 22A, 10V4V @ 250μA2670pF @ 25V68.2nC @ 10V26ns±20V20 ns22A3VTO-220AB20V45A250V250V3 V15.75mm10.4mm4.6mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅-
MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK-12 Weeks-通孔通孔TO-220-33-38A TcHEXFET®Tube-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)--EAR9969MOhm--Single-341W18 nsN-Channel-69m Ω @ 24A, 10V5V @ 250μA5168pF @ 50V125nC @ 10V23ns±20V20 ns38A5V-20V-300V--9.02mm10.67mm4.83mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅2012- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP46NF30 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 300V 0.063Ohm 42A pwr MOSFET | 对比 |
| STP40NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 | 对比 |
| IRFB4137PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK | 对比 |
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