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首页 全部分类 STP6NM60N vs SPP04N60C3XKSA1

STP6NM60N备选型号: SPP04N60C3XKSA1

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • STMicroelectronics
    STP6NM60N
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    4.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    920mOhm
    Matte Tin (Sn)
    STP6N
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    N-Channel
    SWITCHING
    920m Ω @ 2.3A, 10V
    4V @ 250μA
    420pF @ 50V
    13nC @ 10V
    8ns
    ±25V
    9 ns
    4.6A
    TO-220AB
    25V
    600V
    65 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPP04N60C3XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    50W
    N-Channel
    -
    950mOhm @ 2.8A, 10V
    3.9V @ 200μA
    490pF @ 25V
    25nC @ 10V
    2.5ns
    ±20V
    9.5 ns
    4.5A
    -
    20V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8 Weeks
    3
    PG-TO220-3
    2005
    150°C
    -55°C
    650V
    4.5A
    6 ns
    无卤素
    600V
    600V
    490pF
    850mOhm
    950 mΩ
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