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首页 全部分类 STP70N10F4 vs IPP12CN10LGXKSA1

STP70N10F4备选型号: IPP12CN10LGXKSA1

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • STMicroelectronics
    STP70N10F4
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 65A TO-220
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    65A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™
    e3
    Obsolete
    不适用
    3
    EAR99
    19.5mOhm
    STP70N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    19.5m Ω @ 30A, 10V
    4V @ 250μA
    5800pF @ 25V
    85nC @ 10V
    20ns
    ±20V
    20 ns
    65A
    TO-220AB
    20V
    100V
    260A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP12CN10LGXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    69A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    125W
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12m Ω @ 69A, 10V
    2.4V @ 83μA
    5600pF @ 50V
    58nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    5 ns
    69A
    TO-220AB
    20V
    -
    276A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    13 Weeks
    2008
    yes
    Tin (Sn)
    逻辑级兼容
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    100V
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