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首页 全部分类 STP75NS04Z vs STP120N4F6

STP75NS04Z备选型号: STP120N4F6

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  • 引脚数量
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 箱体转运
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    STP75NS04Z
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 33V 80A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    MESH OVERLAY™ III
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    11MOhm
    Tin (Sn)
    STP75N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    1860pF @ 25V
    50nC @ 10V
    248ns
    85 ns
    80A
    TO-220AB
    33V
    470 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP120N4F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Matte Tin (Sn)
    STP120
    3
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.3m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    3850pF @ 25V
    65nC @ 10V
    70ns
    20 ns
    80A
    TO-220AB
    -
    -
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    DRAIN
    40V
    ±20V
    20V
    40V
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