STMicroelectronics STP75NS04Z
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STP75NS04Z
2381-STP75NS04Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 33V 80A TO-220
--最小包装量--
STP75NS04Z详情
STMicroelectronics STP75NS04Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
110W Tc
Turn Off Delay Time
53 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
MESH OVERLAY™ III
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
11MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
基本部件号
STP75N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
110W
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1860pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 10V
上升时间
248ns
下降时间(典型值)
85 ns
连续放电电流(ID)
80A
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏源击穿电压
33V
雪崩能量等级(Eas)
470 mJ
高度
15.75mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STP75NS04Z拓展信息
STMicroelectronics
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