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首页 全部分类 STP7N65M2 vs STP7NM60N

STP7N65M2备选型号: STP7NM60N

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  • 零件状态
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 基本部件号
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STP7N65M2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STP7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    980mOhm
    未说明
    未说明
    STP7N
    N-Channel
    1.15 Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    270pF @ 100V
    9nC @ 10V
    650V
    ±25V
    5A
    3V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP7NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 5A TO-220AB
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    5A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    900mOhm
    -
    -
    STP7N
    N-Channel
    900m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    363pF @ 50V
    14nC @ 10V
    -
    ±25V
    5A
    3V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e3
    3
    Matte Tin (Sn)
    3
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    7 ns
    SWITCHING
    10ns
    12 ns
    TO-220AB
    25V
    5A
    600V
    20A
    119 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    无铅
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