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首页 全部分类 STP80N70F6 vs IPP057N08N3GXKSA1

STP80N70F6备选型号: IPP057N08N3GXKSA1

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  • 已出版
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    STP80N70F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 68V 0.0063Ohm 96A STripFET VI
    42 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    96A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STP80N
    Single
    110W
    23 ns
    N-Channel
    8m Ω @ 48A, 10V
    4V @ 250μA
    5850pF @ 25V
    99nC @ 10V
    29ns
    ±20V
    23 ns
    96A
    20V
    68V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP057N08N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - MOSFET, N CH, 80A, 80V, PG-TO220-3
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    150W
    18 ns
    N-Channel
    5.7m Ω @ 80A, 10V
    3.5V @ 90μA
    4750pF @ 40V
    69nC @ 10V
    66ns
    ±20V
    10 ns
    80A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    SILICON
    2008
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    无卤素
    TO-220AB
    80V
    0.0057Ohm
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