STP85NF55备选型号: AUIRF1010Z

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 宽度
  • 长度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 已出版
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
    12 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    9.071847g
    SILICON
    80A Tc
    STripFET™ II
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8mOhm
    Matte Tin (Sn)
    55V
    80A
    STP85N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    3700pF @ 25V
    150nC @ 10V
    100ns
    ±20V
    35 ns
    80A
    3V
    TO-220AB
    20V
    55V
    980 mJ
    6.35mm
    12.7mm
    38.1mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    INFINEON AUIRF1010Z MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
    16 Weeks
    -
    TO-220-3
    通孔
    通孔
    3
    -
    SILICON
    75A Tc
    HEXFET®
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    2840pF @ 25V
    95nC @ 10V
    150ns
    -
    92 ns
    94A
    2V
    -
    20V
    55V
    -
    16.51mm
    4.826mm
    10.668mm
    ROHS3 Compliant
    无SVHC
    -
    Tin
    2010
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    75A
    0.0075Ohm
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