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STP8N80K5备选型号: STP7N80K5

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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STP8N80K5
    STMicroelectronics
    MOSFET N CH 800V 6A TO220
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH5™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    950mOhm
    Tin (Sn)
    STP8N
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 3A, 10V
    5V @ 100μA
    450pF @ 100V
    16.5nC @ 10V
    14ns
    ±30V
    20 ns
    6A
    TO-220AB
    30V
    6A
    800V
    24A
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • STMicroelectronics
    STP7N80K5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A SuperMESH 5
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH5™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    STP7N
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    11.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 3A, 10V
    5V @ 100μA
    360pF @ 100V
    13.4nC @ 10V
    8.3ns
    ±30V
    20.2 ns
    6A
    TO-220AB
    30V
    6A
    800V
    24A
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    88 mJ
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