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首页 全部分类 STS26N3LLH6 vs IRF7832TRPBF

STS26N3LLH6备选型号: IRF7832TRPBF

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  • 栅源电压
  • 达到SVHC
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  • 无铅
  • 触点镀层
  • 已出版
  • 终端
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 行间距
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  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STS26N3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    26A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    4.4mOhm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    鸥翼
    STS26
    8
    Single
    增强型MOSFET
    2.7W
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.4m Ω @ 13A, 10V
    1V @ 250μA
    4040pF @ 25V
    40nC @ 4.5V
    18ns
    ±20V
    46 ns
    26A
    1V
    20V
    30V
    525 mJ
    1 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7832TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    20A Ta
    -55°C~155°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    4MOhm
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 20A, 10V
    2.32V @ 250μA
    4310pF @ 15V
    51nC @ 4.5V
    6.7ns
    ±20V
    13 ns
    20A
    2.32V
    20V
    30V
    260 mJ
    2.32 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    2005
    SMD/SMT
    30V
    20A
    6.3 mm
    1
    30V
    62 ns
    155°C
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC 对比