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首页 全部分类 STS2DNF30L vs IRF9956TRPBF

STS2DNF30L备选型号: IRF9956TRPBF

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 已出版
  • 附加功能
  • 元素配置
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • STMicroelectronics
    STS2DNF30L
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 30 Volt 3 Amp
    NRND (Last Updated: 7 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    4.535924g
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    e4
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    30V
    2W
    鸥翼
    260
    3A
    30
    STS2D
    8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    19 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    110m Ω @ 1A, 10V
    2.5V @ 250μA
    121pF @ 25V
    4.5nC @ 10V
    20ns
    8 ns
    3A
    1.7V
    18V
    3A
    0.15Ohm
    30V
    9A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    6.35mm
    50.8mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9956TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    20V
    2W
    鸥翼
    -
    3.5A
    -
    IRF9956PBF
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    6.2 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.2A, 10V
    1V @ 250μA
    190pF @ 15V
    14nC @ 10V
    8.8ns
    3 ns
    3.5A
    -
    20V
    -
    0.1Ohm
    30V
    16A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    2004
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    Dual
    44 mJ
    20 V
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