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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.670109
10
¥0.632178
100
¥0.596394
500
¥0.562636
1000
¥0.530789
Diodes Incorporated DMP3085LSS-13
- 收藏
- 对比
DMP3085LSS-13
671-DMP3085LSS-13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
--最小包装量--
¥
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DMP3085LSS-13详情
Diodes Incorporated DMP3085LSS-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.3W Ta
Turn Off Delay Time
31 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
AEC-Q101
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
4.8 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
70m Ω @ 5.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
563pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.2nC @ 4.5V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
14.6 ns
连续放电电流(ID)
3.8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.07Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
高度
1.5mm
长度
4.95mm
宽度
3.95mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP3085LSS-13拓展信息
Diodes Incorporated
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