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首页 全部分类 STS3P6F6 vs DMN6066SSD-13

STS3P6F6备选型号: DMN6066SSD-13

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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STS3P6F6
    STMicroelectronics
    MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    10V
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    160mOhm
    STS3P
    Single
    2.7W
    6.4 ns
    P-Channel
    160m Ω @ 1.5A, 10V
    4V @ 250μA
    340pF @ 48V
    6.4nC @ 10V
    5.3ns
    60V
    ±20V
    3.7 ns
    3A
    20V
    -60V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN6066SSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    66mOhm
    DMN6066SSD
    Dual
    2.14W
    2.7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    66m Ω @ 4.5A, 10V
    3V @ 250μA
    502pF @ 30V
    10.3nC @ 10V
    2.4ns
    60V
    -
    5.4 ns
    3.3A
    20V
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    17 Weeks
    73.992255mg
    SILICON
    2017
    e3
    yes
    8
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.8W
    鸥翼
    260
    40
    8
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    4.4A
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
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ZXMP6A17N8TC ZXMP6A17N8TC Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO 对比