您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STS8DN3LLH5 vs IRF7807ZTRPBF

STS8DN3LLH5备选型号: IRF7807ZTRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 配置
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STS8DN3LLH5
    STMicroelectronics
    Dual Channel 30 V 10 A 19 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    19MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    2.7W
    鸥翼
    260
    30
    STS8DN
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    2.7W
    4 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    19m Ω @ 5A, 10V
    1V @ 250μA
    724pF @ 25V
    5.4nC @ 4.5V
    4.2ns
    30V
    3.5 ns
    10A
    22V
    30V
    40A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7807ZTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    8.2MOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    260
    30
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    6.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.8m Ω @ 11A, 10V
    2.25V @ 250μA
    770pF @ 15V
    11nC @ 4.5V
    6.2ns
    -
    3.1 ns
    11A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    2005
    30V
    DUAL
    11A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ±20V
    1.8V
    1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 对比
FDS8878 FDS8878 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC 对比