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首页 全部分类 STTH30R06CW vs APT30D100BG

STTH30R06CW备选型号: APT30D100BG

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  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
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  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 二极管配置
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 输出电流
  • 箱体转运
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 反向电压(直流电)
  • STMicroelectronics
    STTH30R06CW
    STMicroelectronics
    DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247-3
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    11 Weeks
    Tin
    Radial, Through Hole
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    2
    Tube
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    175°C
    -65°C
    高压超快恢复
    自由旋转二极管
    8541.10.00.80
    600V
    SINGLE
    30A
    STTH30
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    60μA @ 600V
    2.9V @ 15A
    15A
    175°C Max
    120A
    2.9V
    600V
    15A
    1
    50 ns
    60μA
    600V
    120A
    600V
    1 Pair Common Cathode
    120A
    50 ns
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT30D100BG
    Microsemi Corporation
    DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    25 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-2
    -
    SILICON
    1
    Tube
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    175°C
    -55°C
    超快软恢复
    -
    8541.10.00.80
    1kV
    -
    30A
    APT30D100
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    250μA @ 1000V
    2.3V @ 30A
    30A
    -55°C~175°C
    210A
    2.3V
    1kV
    30A
    1
    290 ns
    250μA
    1kV
    210A
    -
    -
    -
    290 ns
    5.31mm
    21.46mm
    16.26mm
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    6.500007g
    1997
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    3
    R-PSFM-T2
    30A
    CATHODE
    1000V
    1kV
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