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首页 全部分类 STTH5R06DJF-TR vs STTH4R06DEE-TR

STTH5R06DJF-TR备选型号: STTH4R06DEE-TR

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  • 包装
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  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 元素配置
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  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
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  • 最大浪涌电流
  • 输出电流-最大值
  • 正向电压
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  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
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  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 最大反向漏电电流
  • STMicroelectronics
    STTH5R06DJF-TR
    STMicroelectronics
    DIODE GEN PURP 600V 5A POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    1
    Cut Tape (CT)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    175°C
    -65°C
    EFFICIENCY
    DUAL
    260
    30
    STTH5R06
    8
    R-PDSO-N5
    共阳极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    60μA @ 600V
    2V @ 5A
    CATHODE
    5A
    175°C Max
    50A
    5A
    2V
    600V
    5A
    1
    55 ns
    60μA
    600V
    190A
    600V
    190A
    150 ns
    50μm
    5.2mm
    6.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STTH4R06DEE-TR
    STMicroelectronics
    Fast / Ultrafast Power Diode, Single, 600 V, 4 A, 1.7 V, 60 A, 150 C
    -
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    1
    Cut Tape (CT)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    超快恢复
    DUAL
    260
    30
    STTH4R06
    -
    R-PDSO-N5
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    3μA @ 600V
    1.7V @ 4A
    CATHODE
    4A
    150°C Max
    60A
    4A
    1.7V
    600V
    4A
    1
    50 ns
    3μA
    600V
    60A
    -
    60A
    100 ns
    1mm
    3.4mm
    3.4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SOFT FACTOR IS 2
    30μA
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