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STU10P6F6备选型号: IRFU9024NPBF
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- JESD-609代码
- 终端
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON10A Tc175°C TJTubeDeepGATE™, STripFET™ VIObsolete不适用3EAR99STU10PSingle增强型MOSFET35WDRAIN64 nsP-ChannelSWITCHING160m Ω @ 5A, 10V4V @ 250μA340pF @ 48V6.4nC @ 10V5.3ns±20V3.7 ns10A20V60V40A80 mJ无ROHS3 Compliant无铅--------------------
MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON11A Tc-55°C~150°C TJTubeHEXFET®活跃1 (Unlimited)3EAR99-Single增强型MOSFET38WDRAIN13 nsP-ChannelSWITCHING175m Ω @ 6.6A, 10V4V @ 250μA350pF @ 25V19nC @ 10V55ns±20V37 ns-11A20V-55V44A62 mJ无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 Weeks1997e3通孔175mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY-60V260-1.6A3055V-4V-55V71 ns-4 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU9024NPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK | 对比 |
 | FQU13N06LTU-WS | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK | 对比 |
| RFD3055 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK | 对比 |
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