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STU60N55F3备选型号: IRFU1010ZPBF
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- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 供应商器件包装
- 已出版
- 终端
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 螺纹距离
- 引线长度
- 漏源电压 (Vdss)
- 双电源电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET N-CH 55V 80A IPAKTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔通孔3SILICON80A TcSTripFET™ IIITube-55°C~175°C TJe3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - annealed260STU60N3Single增强型MOSFET110WDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING8.5m Ω @ 32A, 10V4V @ 250μA2200pF @ 25V45nC @ 10V50ns±20V11.5 ns32A4V20V80A0.0085Ohm55VROHS3 Compliant无无SVHC--------------------
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAKTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA通孔通孔3-42A TcHEXFET®Tube-55°C~175°C TJ--Obsolete1 (Unlimited)--------140W-17 nsN-Channel-7.5mOhm @ 42A, 10V4V @ 100μA2840pF @ 25V95nC @ 10V76ns±20V48 ns42A4V20V--55V符合RoHS标准无无SVHCIPAK (TO-251)2010通孔7.5MOhm175°C-55°C55V42A2.28mm9.65mm55V55V2.84nF7.5mOhm7.5 mΩ4 V6.22mm6.7056mm2.3876mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRFU8401 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 40V 100A IPAK | 对比 |
| STU80N4F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N CH 40V 80A IPAK | 对比 |
| IRFU2405PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 55V 56A I-PAK | 对比 |
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