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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.792036
10
¥13.011357
100
¥12.274866
500
¥11.580057
1000
¥10.924581
STMicroelectronics STU80N4F6
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- 对比
STU80N4F6
2381-STU80N4F6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N CH 40V 80A IPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STU80N4F6详情
STMicroelectronics STU80N4F6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
70W Tc
Turn Off Delay Time
46.1 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
不适用
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STU80
元素配置
Single
接通延迟时间
10.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.3m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2150pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
36nC @ 10V
上升时间
7.6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
11.9 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
高度
6.2mm
长度
6.6mm
宽度
2.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STU80N4F6拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
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