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STU65N3LLH5备选型号: STU75N3LLH6
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- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-Ch 30V 0.0061Ohm 65A pwr STripFET V通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON65A Tc-55°C~175°C TJTubeSTripFET™ VObsolete1 (Unlimited)3EAR99ULTRA-LOW RESISTANCESINGLE未说明unknown未说明STU65N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET50WDRAINN-ChannelSWITCHING7.3m Ω @ 32.5A, 10V3V @ 250μA1290pF @ 25V8nC @ 4.5V11.2ns±22V6 ns65A0.0097Ohm30V260AROHS3 Compliant------------
MOSFET N-CH 30V 75A IPAK通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTubeDeepGATE™, STripFET™ VIObsolete1 (Unlimited)3EAR99-SINGLE260--STU75N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-DRAINN-ChannelSWITCHING5.9m Ω @ 37.5A, 10V2.5V @ 250μA2030pF @ 10V23.8nC @ 4.5V30ns±20V12 ns75A0.0084Ohm--ROHS3 CompliantNRND (Last Updated: 8 months ago)e3Matte Tin (Sn) - annealed9.5 ns30V1.7V20V6.9mm6.6mm2.4mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFU3707ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 30V 56A I-PAK | 对比 |
 | IPS060N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 | 对比 |
 | NTD4806N-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 30V 11A IPAK | 对比 |
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