STMicroelectronics STU65N3LLH5

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

65A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

32.4 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ V

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STU65N

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.3m Ω @ 32.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1290pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8nC @ 4.5V

上升时间

11.2ns

Vgs（最大值）

±22V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

65A

漏极-源极导通最大电阻

0.0097Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

260A

RoHS状态

ROHS3 Compliant